# | Обоснование | Ед.изм | Наименование |
---|---|---|---|
1 | Ц32-1-21-1 | КОМПЛ | УСТАНОВКА ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ГИДРИДНЫМ МЕТОДОМ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ, СВЧ ОБОГРЕВОМ#(ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ) |
2 | Ц32-1-21-2 | КОМПЛ | УСТАНОВКА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ ПЛЕНОК МОНОКРИСТАЛЛОВ#(ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ) |
3 | Ц32-1-21-3 | КОМПЛ | УСТАНОВКА НАРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ#(ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ) |
4 | Ц32-1-21-4 | КОМПЛ | УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР#(ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ) |